MOSFET CH N/ 75V / 170A / 300W / 0.0033 ohms, Forma: TO-220AB
AUTOMOTIVE MOSFET CH N/ 75V / 140A / 330W / 0.007 ohms, Forma: TO-220AB
MOSFET CH N/ 100V / 180A / 370W / 0.0037 ohms, Forma: TO-220AB
MOSFET N-Channel Logic Level, Vdss 50V, Id 0.22A, Pd 0.36W, Vgs 1.3V, Rds 0.7 a 6 ohms, para montaje superficial (SMD), Forma: SOT-23
IGBT CH N/ 600V / 10A@100ºC / 20A@25ºC/65W / CON DIODO ANTIPARALELO ULTRARAPIDO, Forma: TO-220AB
IGBT CH N/ 600V / 40A / 160W / 40 KHZ / CON DIODO ANTIPARALELO ULTRARAPIDO, Forma: TO-247
IGBT CH N/ 600V / 40A / 160W / 150 KHZ HASTA 300KHZ/, Forma: TO-247AC
IGBT FS4 TRENCH, CH N/ 650V / 60A@100ºC / 120A@25ºC/ Pd 330W@25°C 167W@100°C / CON DIODO ANTIPARALELO ULTRARAPIDO, Forma: TO-247
TRANSISTOR PROGRAMABLE UNIJUNTURA (PUT) 40V, (ORIGINAL) Forma: TO-92
MOSFET CH N/ 30V / 7.3A / 1.4W / 0.021 ohms / Vgs 1.7V especial sistemas digitales, Forma: SOIC8
TRANSISTOR NPN / 45V / 0.1A / 0.2W / 450-520 / 100MHz/ NF max 4dB (MARCADO 2G), Forma: SOT-23
TRANSISTOR PNP / -45V / -0.1A / 0.2W / 420-800 / 100MHz/ NF max 4dB (MARCADO 4G), Forma: SOT-23
TRANSISTOR PNP / 30V / 0.1A / 0.625W / 220-475 / 100MHz, Forma: TO-92
IGBT TRENCH AND FIELDSTOP TECH, CH N/ 600V / 50A@100ºC / 100A@25ºC/ Pd 333W@25°C 167W@100°C / CON DIODO ANTIPARALELO RAPIDO, Forma: TO-247
IGBT TRENCHSTOP FIELDSTOP TECH / CH N/ 600V / 18A@100ºC / 24A@25ºC / 110W , Forma: TO-220AB
MOSFET CH N/ 600V / 11A / 90W / 0.36 ohms (ENCAPSULADO PLASTICO), Forma: TO-220F
