Silicon PIN Photodiode, range 600 to 1050 nm, 900 nm peak, Large radiant sensitive area (A = 7.5 mm2), Wide angle of half sensitivity . = ± 65°, tr=100ns, tf=100ns, Vr=60V, Pv= 215mW, Forma: BPW34

FOTOTRANSISTOR LUZ VISIBLE NPN, VENTANA CON LENTE, ANGULO 10º, espectro 620 A 980 nm, ALTA SENSITIVIDAD, 70Vce , 6us Turn On Time, 5us Turn Off Time, 110kHz Cut-Off- Freq., Forma: TO-18

FOTODIODO, FILTRO PASA INFRAROJO, 40º ANGULO RECEPCION, 50ns, 50V REV. VOLT., 880nM, T1 3/4 5mm diam., Forma: LED5WC

FOTOTRANSISTOR INFRARROJO NPN, FILTRO LUZ VISIBLE, 880 nm, ALTA SENSITIVIDAD, 30Vce , 7us Rise Time, 7us Fall Time, Ic on (4 a 16mA)., Forma: LED5BK

AMBIENT LIGHT SENSOR 570nm, 2 PIN, PHOTOTRANSISTOR, Forma: TEPT5700

MODULO RECEPTOR DE INFRARROJOS 38KHZ, Forma: VS838

CONTROL DE CARGA PANEL SOLAR 12/24V 10A PARA LUMINARIA, Forma: CHL12/24V

LDR 5mm Diametro, R@10 lux = 2K a 10K, Rdark(min)=5M , +/- 40% TOL., 150V 50mW, 540nm spectrum peak value, CdS., Forma: PEM5516

CELDA SOLAR 12V 40mA, POLICRISTAL AZUL SELLADO CON RESINA EPOXICA, DIM 12 x 6 CM, Forma: JSM2

LDR 7mm Diametro, R@10 lux = 3K a 300K., Forma: FC107

LDR 20MM 500 ohm / 40K, Forma: FC120

CELDA SOLAR 6V 140mA SILICON POLYCRISTALINE, 11X8cm Forma: JSM1

LDR 3mm Diametro, R@10 lux = 20K a 30K, Rdark(min)=2M , +/- 40% TOL., 150V 50mW, 540nm spectrum peak value, CdS., Forma: MJ3528

CELDA SOLAR, 4V 125mA, 1 SILICON POLYCRISTALINE, 100x55 mm., Forma: JSM01

SENSOR OPTICO REFLECTIVO CON SALIDA DE FOTOTRANSISTOR 32V, EMISOR INFRAROJO CON FILTRO, 1.25V 940nm, Forma: CNY70

OPTO INTERRRUPTOR SALIDA TRANSISTOR, INCORPORA CIRCUITO SCHMIDT TRIGGER, AMPLIO ESPACIO (10mm) ENTRE LED Y DETECTOR, VOLTAJE ALIMENTACION SALIDA 4.5 A 17V, ENTRADA LED 1.1V a 7mA TYP., Forma: OPIC

SENSOR OPTICO REFLECTIVO CON SALIDA DE FOTOTRANSISTOR 30V, EMISOR INFRAROJO CON FILTRO, 1.7V 940nm, Forma: QRD