MOSFET CH N/ 55V / 110A / 200W / 0.008 ohms, Forma: TO-220AB

MOSFET CH N/ 75V / 170A / 300W / 0.0033 ohms, Forma: TO-220AB

AUTOMOTIVE MOSFET CH N/ 75V / 140A / 330W / 0.007 ohms, Forma: TO-220AB

MOSFET CH N/ 100V / 180A / 370W / 0.0037 ohms, Forma: TO-220AB

Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts, Forma: TO-92

MOSFET CH N/ 650V / 7A / 52W / 1.4 ohms (ENCAPSULADO PLASTICO), Forma: TO-220F

MOSFET N-Channel Logic Level, Vdss 50V, Id 0.22A, Pd 0.36W, Vgs 1.3V, Rds 0.7 a 6 ohms, para montaje superficial (SMD), Forma: SOT-23

IGBT CH N/ 600V / 10A@100ºC / 20A@25ºC/65W / CON DIODO ANTIPARALELO ULTRARAPIDO, Forma: TO-220AB

IGBT CH N/ 600V / 40A / 160W / 40 KHZ / CON DIODO ANTIPARALELO ULTRARAPIDO, Forma: TO-247

IGBT CH N/ 600V / 40A / 160W / 150 KHZ HASTA 300KHZ/, Forma: TO-247AC

IGBT FS4 TRENCH, CH N/ 650V / 60A@100ºC / 120A@25ºC/ Pd 330W@25°C 167W@100°C / CON DIODO ANTIPARALELO ULTRARAPIDO, Forma: TO-247

TRANSISTOR PROGRAMABLE UNIJUNTURA (PUT) 40V, (ORIGINAL) Forma: TO-92

SCR GATE SENSIBLE 400V / 4A / Igt<200uA, Forma: TO-126

SCR GATE SENSIBLE 200V / 0.8A / 200uA Igt, Forma: TO-92

SCR 600V/8A, Forma: TO-220AB

SCR 400V / 12A, Forma: TO-220AB

SCR 600V/16A, Forma: TO-220AB

TRIAC 600V/ 0.8A / 5mA GATE, Forma: TO-92

TRIAC 600V/ 4A / 5mA gate sensible, especial conección directa a microcontroladores, circuitos lógicos. (NO AISLADO), Forma: TO-220AB

TRIAC 600V / 8A / 6.5mA gate sensible, especial conección directa a microcontroladores, circuitos lógicos., Forma: TO-220F

TRIAC 800V / 25A / 50mA / AISLADO / SNUBBERLESS, Forma: TO-220AB

DIAC 32V (Vbo), 2A (Itrm), 150mW (P), Forma: DO-35

MOSFET CH N/ 30V / 7.3A / 1.4W / 0.021 ohms / Vgs 1.7V especial sistemas digitales, Forma: SOIC8

DIODO RECTIFICADOR RAPIDO VR= 1000V / IF=3A / Trr=500nS, Forma: DO-201AD